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记忆
记忆
HYB25D512800CE-6
产品型号
HYB25D512800CE-6
品牌
Qimonda
RoHS
No
描述
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
分类
记忆
PDF
库存:
3219
BOM
技术细节
安装类型
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
匝数
Surface Mount
Q值 @ 频率
512Mbit
外壳材料
Volatile
扭矩 - 螺丝
0°C ~ 70°C (TA)
直径 - 内径
2.3V ~ 2.7V
功能 - 照明
SDRAM - DDR
电压 - VCCB
166 MHz
内存
DRAM
最大交流电压
66-TSOP II
Parallel
64M x 8
Not Verified
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